中国芯片的突围征程

　　中国芯片产业的发展历程，是一部从“同步起跑”到“断层掉队”，再到“奋力追赶”的奋斗史。如今，产业虽已实现局部突破，却仍未摆脱全局受制的困境，而这一切的核心症结，直指一段被“造不如买、买不如租”短视思想主导的关键历史。

　　一、现状：局部突破与全局受制的矛盾格局

　　2026年的中国芯片产业，呈现出“成熟制程稳扎稳打、先进领域艰难突围”的鲜明特征。在28nm及以上成熟制程，国产化率已稳步提升，长江存储294层3D NAND良率突破90%，跻身全球存储芯片前五；中芯国际14nm FinFET工艺量产多年，良率稳定在95%以上，足以支撑工业控制、汽车电子、中低端消费电子等主流需求。国内芯片设计企业数量突破3000家，海思、寒武纪等企业在AI芯片、物联网芯片领域形成差异化优势，本土供应链逐步完善。

　　但在关键领域，制约依然严峻：7nm以下先进制程依赖DUV多重曝光技术，成本较国际EUV路线高出30%-50%，良率也难以匹敌台积电、三星；EUV光刻机、高端EDA工具等核心设备，海外垄断率超90%，国内企业仍无法实现自主量产；AI芯片、高性能计算芯片的核心IP与软件生态，仍受限于海外架构，自主替代面临专利与兼容性双重挑战。这种“部分自主、全局受制”的格局，成为当前产业发展的核心痛点，也凸显了全方位掌控的紧迫性。

　　二、历史：从同步起跑到断层掉队的转折

　　中国芯片的起点本与世界先进水平同步。1956年，国家将半导体技术纳入“四大紧急措施”，北大、中科院等院校迅速组建专业团队，开启半导体研究；1965年，我国成功研制出首块集成电路，仅晚于美国7年，与日本处于同一梯队，比韩国早近10年；1975年，北京大学研发出1K DRAM存储芯片，这一成果比中国台湾、韩国同类产品早约5年，为产业发展奠定了扎实的技术与人才基础。

　　然而，1980年至2000年的二十年，成为中国芯片产业的“断层期”。彼时全球芯片产业进入制程快速迭代、产业链生态构建的黄金阶段，台积电、三星等企业集中资源攻坚先进制程，逐步形成技术壁垒；而中国却被“造不如买、买不如租”的短视思想主导，彻底偏离了“引进是为了自主研发”的正确方向。在这种错误思路下，引进国外生产线不是作为自主创新的参考与借鉴，而是沦为“吃现成”的捷径，国家层面的科研经费大幅缩减，原本完整的科研团队被拆解，高校半导体相关专业招生规模萎缩，形成严重的人才断层。各地政府与企业热衷于引进国外淘汰的二手生产线，以最快速度填补市场需求，却不愿投入巨资钻研光刻、掺杂、封装等底层核心技术，导致产业发展陷入“引进—落后—再引进—再落后”的恶性循环。

　　同一时期，芯片走私活动愈演愈烈，大量劣质进口芯片充斥市场，进一步挤压了本土芯片企业的生存空间。当国际巨头已构建起完整的技术、专利、生态壁垒时，中国芯片不仅与世界先进水平的差距快速拉大，更丧失了自主迭代的核心能力，为后续的“卡脖子”危机埋下了致命隐患。2000年，《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》（“18号文”）出台，标志着自主研发之路重新启程，中芯国际、华为海思等企业相继崛起，中国芯片产业才正式步入“引进—消化—吸收—再创新”的正确轨道。

　　三、成因：“造不如买”的短视思想是核心症结

　　中国芯片未能实现全方位掌控与突破，深层原因错综复杂，但1980-2000年期间“造不如买、买不如租”的短视决策，是无可争议的核心症结。这种思想在特定历史阶段，虽能快速填补市场空白、降低短期投入成本，却与芯片产业的发展规律严重背离——芯片是典型的“技术密集、资本密集、生态密集”产业，需要长期持续的研发投入、人才积累与产业链协同，核心技术是引不进来的，靠买和租永远只能拿到别人淘汰的落后技术，永远无法掌握发展的主动权。

　　更关键的是，“造不如买”的思路彻底扭曲了引进的初衷：引进的目的本应是为自主研发搭建阶梯，通过拆解、分析、试验，吃透底层逻辑，进而开发出属于自己的技术体系，但短视者只把引进当作“终点”，而非“起点”，最终陷入“依赖—停滞—落后”的死循环。这种思想带来了三重致命伤害：一是核心技术“空心化”，企业仅掌握进口设备的操作流程，却未吃透底层原理，丧失了自主迭代与创新能力，始终处于“知其然不知其所以然”的被动局面；二是研发生态“断裂化”，科研投入的缩减导致技术储备枯竭，人才培养的断档使得后续追赶缺乏核心力量，高校与企业的研发联动机制彻底断裂；三是产业发展“被动化”，长期依赖进口让关键环节被海外牢牢掌控，当国际局势变化、技术封锁收紧时，既无替代方案，也无快速攻坚的基础，只能陷入被动挨打。

　　后续美国等国家的技术封锁、设备禁运，进一步放大了这种历史决策留下的隐患。当中国芯片产业在2000年后重新启动自主研发时，国际巨头已构筑起技术、专利、生态的三重壁垒，追赶难度呈指数级增加。可以说，“造不如买”的短视思想，让中国芯片错失了产业发展的黄金窗口期，直接导致了如今全方位突破的艰难局面。

　　四、未来：10年窗口期与持久战中的突围希望

　　中国芯片要实现全方位掌控、彻底翻身，注定是一场需要耐心、毅力与战略定力的持久战，而2026-2035年的10年，将是决定成败的关键窗口期。从产业发展规律与当前突破进度来看，中国芯片的突围之路将呈现“成熟制程先行、先进领域攻坚、生态逐步构建”的清晰路径，而这条路径的核心原则，正是回归“引进为自主研发服务”的正确导向，彻底摒弃“吃现成”的惰性思维。

　　在成熟制程领域，28nm及以上节点将率先实现全面自主可控，预计到2027年，该领域国产化率将突破90%，长江存储、长电科技等企业将在存储芯片、先进封装领域巩固全球竞争力；中芯国际等制造企业的产能与良率将持续优化，足以支撑国内工业、汽车、消费电子等领域的主流需求。在设备与材料领域，刻蚀机、薄膜沉积设备等核心设备的国产化率将稳步提升，光刻胶、大硅片等关键材料将实现批量供应，预计2030年核心设备国产化率有望达到60%，材料自给率突破50%。

　　在先进制程领域，7nm级工艺将通过DUV多重曝光技术实现稳定量产，成本与良率逐步优化，满足国内中高端芯片的部分需求；若EUV光刻机等核心设备能取得突破性进展，5nm级工艺将在2030年后进入试产阶段，逐步缩小与国际先进水平的差距。在设计与生态领域，国产EDA工具将逐步实现从“点工具突破”到“全流程覆盖”的跨越，AI芯片、高性能计算芯片将形成自主IP与软件栈，部分产品性能有望对标国际主流。

　　回望中国芯片产业的起落沉浮，正是对“独立自主、自力更生、争取外援”这一思想最生动的实践验证。上世纪八九十年代，产业发展偏离了这一指导原则，陷入“造不如买、买不如租”的短视误区，放弃自主研发的根本，只寄望于引进外援，最终导致核心技术空心化、人才断层、产业链断裂，在国际竞争中步步受制。而2000年之后，产业发展重拾“独立自主、自力更生”的核心，以自主研发为根基，同时合理借鉴国际先进经验、整合全球资源为我所用，才在成熟制程、存储芯片、核心设备等领域实现从跟跑到并跑的突破。

　　实践反复证明，教员提出的这一思想，绝非闭门造车的固执，而是立足自身根本、借力外部资源的辩证智慧。它不仅是过去革命与建设的制胜法宝，更是今天中国芯片产业突破封锁、实现全方位自主可控的根本遵循。尽管前路依然漫长，挑战依然严峻，但只要坚持“引进为研发服务、核心靠自主攻坚”的原则不动摇，保持战略定力、久久为功，中国芯片终将摆脱历史包袱，彻底实现全方位掌控与突破，在全球芯片产业格局中占据应有的主导地位，为国家科技自立自强奠定坚实基础。

　　【文/青荷，作者原创投稿，授权红歌会网首发。】