秦明：这一“刻”，等了39年！

　　日前，北京卫视报道了小米公司成功流片国内首款采用3nm工艺的手机系统级芯片的消息。

　　这一消息固然可喜，但还谈不上令人振奋。根据现有的信息，与包括麒麟在内的其他“国产”芯片一样，小米的这款3nm芯片仍然是购买ARM架构授权进行修改，而与龙芯的自主指令集完全不是一回事；此外，小米的此次3nm流片很有可能找的是台湾的台积电。

　　两点结合起来看，小米的3nm芯片离“自主可控”仍然有相当的距离。与华为相比，小米唯一的“优势”只是暂时没有受到美国制裁，因此可以买到ARM的V9、甚至是最新的V10架构，而麒麟还只能在V8基础上修改；同样因为暂时没有受到制裁，小米暂时还可以使用美国把控的供应链流片。

　　其实，只要中国人想干，自主指令集和生态这些“软设施”都是可以重新构建的，只是需要一段“痛苦期”来磨合；真正难以一步跨越的，还是芯片的硬件制造，尤其是光刻机。

　　今年9月，中国在DUV光刻机领域实现了重要的技术突破的消息引发国人振奋。

　　根据公开披露的参数，工信部公布的国产氟化氩光刻机（DUV），波长为193nm，其分辨率可以达到65nm或以下，套刻精度8nm。

　　“中国首台（套）重大技术装备”的含义是指国内实现重大技术突破、拥有知识产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品，包括整机设备、核心系统和关键零部件等。

　　需要说明的是，套刻精度跟制程节点水平是两个概念，套刻精度则指的是每一层光刻层之间的对准精度，并不是指能够制造的芯片的工艺制程节点。对照ASML的系列光刻机参数，这款国产DUV光刻机仍未能完全胜任28nm的工艺制程，更达不到8nm、7nm的程度。ASML 2006年推出的干式DUV光刻机XT：1450的分辨率就已经达到了57nm，套刻精度为7nm，相当于“晚了18年”。

　　这一次看似有限的“突破”，仍有具有重要的“节点意义”——28nm以上制程的成熟芯片有望实现全流程国产化了。

　　这个突破，是美国的制裁措施倒逼的结果，正应了毛主席的那句“封锁吧，封锁十年八年，中国的一切问题都解决了。”

　　“晚18年”并不可怕，只要正确的路线能够占据主导，国产光刻机赶超国外最先进的技术水平指日可待。

　　历史已经雄辩地证明：美国从原子弹到氢弹用了7年多，而新中国在毛泽东时代的引领下只用了两年多；导弹和原子弹结合即战略核导弹的试射成功，美国用了11年，新中国仅用了1年多的时间！这是社会主义公有制下群众和专家无私大协作的结果，是社会主义制度优越性的充分体现。